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 產(chǎn)品導(dǎo)航
 產(chǎn)品詳細(xì)
半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀, SZT-3  
產(chǎn)品名稱: 半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀, SZT-3
產(chǎn)品型號(hào): SZT-3
產(chǎn)品報(bào)價(jià):
 
   
 產(chǎn)品詳細(xì):

半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀, SZT-3

 

SZT-3半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀是一款專為半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)、生產(chǎn)環(huán)節(jié)設(shè)計(jì)的檢測(cè)設(shè)備,通過(guò)非接觸式測(cè)量技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的快速、精準(zhǔn)鑒別。該設(shè)備基于霍爾效應(yīng)原理,結(jié)合智能化信號(hào)處理算法,可對(duì)硅、鍺、砷化鎵等多種半導(dǎo)體材料的N型、P型導(dǎo)電屬性進(jìn)行無(wú)損判定,適用于晶圓、芯片、分立器件等不同形態(tài)樣品的檢測(cè)需求。

產(chǎn)品采用模塊化設(shè)計(jì),搭載高靈敏度探頭與自適應(yīng)校準(zhǔn)系統(tǒng),能夠兼容厚度0.1mm至2mm的各類樣品,檢測(cè)精度達(dá)到±3%以內(nèi),重復(fù)性誤差小于1.5%。設(shè)備配備7英寸觸控屏,內(nèi)置多語(yǔ)言操作界面,支持一鍵式檢測(cè)流程,用戶僅需放置樣品并啟動(dòng)程序,即可在5秒內(nèi)獲取導(dǎo)電類型判別結(jié)果及關(guān)鍵參數(shù)曲線。針對(duì)復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景,設(shè)備提供手動(dòng)模式調(diào)節(jié)功能,可自定義磁場(chǎng)強(qiáng)度、電流參數(shù)等變量,滿足科研級(jí)測(cè)試需求。

在硬件設(shè)計(jì)方面,SZT-3采用全封閉抗干擾結(jié)構(gòu),有效屏蔽環(huán)境電磁干擾,確保在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。其緊湊型機(jī)身設(shè)計(jì)(320×280×150mm)配合便攜式移動(dòng)支架,既適用于實(shí)驗(yàn)室精密檢測(cè),也可靈活部署于產(chǎn)線質(zhì)量控制環(huán)節(jié)。設(shè)備支持?jǐn)?shù)據(jù)本地存儲(chǔ)與USB導(dǎo)出功能,兼容主流數(shù)據(jù)分析軟件,可為材料篩選、工藝優(yōu)化提供可靠依據(jù)。

該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料研究、晶圓制造、功率器件生產(chǎn)等領(lǐng)域,特別適用于太陽(yáng)能電池、IGBT模塊、傳感器等器件的生產(chǎn)質(zhì)控環(huán)節(jié),幫助用戶快速甄別材料導(dǎo)電特性差異,提升生產(chǎn)良率與研發(fā)效率。通過(guò)優(yōu)化檢測(cè)流程與設(shè)備穩(wěn)定性設(shè)計(jì),SZT-3在保證檢測(cè)準(zhǔn)確性的同時(shí),顯著降低了操作門檻和設(shè)備維護(hù)成本。

簡(jiǎn)單介紹
SZT-3 半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀 1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-2~104Ω•cm2. 可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。


 

SZT-3 半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀

的詳細(xì)介紹
SZT-3 半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀
STZ—3型半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀是為了鑒別硅單晶材料的導(dǎo)電類型 “P”和 “N”的測(cè)量?jī)x器,是采用溫差效應(yīng)和整流效應(yīng)兩種方法相結(jié)合綜合性的測(cè)量導(dǎo)電型號(hào)儀器,測(cè)量范圍廣硅材料電阻率從10-2~104Ω•cm,儀器采用美國(guó)16位單片集成電路計(jì)算機(jī)為核心,利用數(shù)字采集濾波技術(shù),并用 “P” “N”數(shù)碼直接顯示。采用了單片機(jī)技術(shù)可使測(cè)量的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性大幅度提高。儀器采用手持式四探然探頭,使用簡(jiǎn)單,操作方便,且壽命長(zhǎng),適合半導(dǎo)體材料廠、器件廠和科研部門需要。
 
主要技術(shù)指標(biāo):
1. 測(cè)量范圍:硅單晶材料電阻率10-2~104Ω•cm
2.  可測(cè)量材料:半導(dǎo)體硅棒和硅片,及硅碎顆粒。
    可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。
3.  顯示方式:P、N 燈顯示。
4.  測(cè)試探頭:手持式 探針間距3 mm         探針Φ1mm 高速鋼
5.  電源:220V 50HZ 20W
 用作太陽(yáng)能多晶材料分選時(shí),采用整流法,對(duì)<0.01Ω-cm的材料具有聲光報(bào)警功能,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的原材料篩選環(huán)節(jié),快速高效。


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